麻省光子進駐科技園 建三代半導體試產線

【明報專訊】半導體是電子產品最重要的組成部分，特區政府近年致力推動微電子發展，尤其是第三代半導體技術。由海歸專家團隊創立的麻省光子技術（香港）有限公司昨公布，將進駐科技園公司於今年內啟用的元朗微電子中心（MEC），目標投資逾2億元，在3年內建立香港首條8吋氮化鎵（GaN）的外延片研發中試產線，並實現年產1萬片氮化鎵晶圓的產能。創新科技及工業局長孫東形容，「氮化鎵外延工藝」是第三代半導體的關鍵技術，能優化產品性能及提升穩定。

總部深圳 廠房徐州 實驗室美國

麻省光子技術代表昨在科學園出席儀式，與科技園公司簽署合作。據麻省光子技術網頁介紹，該公司總部設在深圳，在徐州有生產基地，同時在美國波士頓大學設有光科學及消殺技術實驗室。孫東昨致辭時形容，今次麻省光子技術落戶香港，正回應了政府的發展戰略，會繼續引入更多優秀的科技企業來港發展和投資。

氮化鎵晶圓應用廣 包括電動車

麻省光子技術行政總裁廖翊韜昨接受訪問時解釋，半導體外延片是半導體芯片提供最基礎、高端的半成品材料，稱之為「外延片」是因為在工藝中，需在原有晶圓上累積一層層「向外伸展材料」，以提高晶圓的性能及功能。他表示，其公司目前生產的氮化鎵晶圓，可廣泛應用於大健康醫療、電動車、超高壓電力輸送等領域的設備。

廖翊韜解釋，選擇落戶香港是考慮到香港對專利技術的保護及知識產權的稅務優惠，形容優勢屬「全世界獨一無二」。他表示，不論發展任何產品，最終需面向全球化市場，而本港具國際化環境，有助產品日後市場發展。廖提到，過去半年與科技園公司接觸，了解到香港在第三代半導體產業的規劃，特別是稍後啟用的MEC，屬世界頂尖新技術孵化的環境，故決定進駐。

中試產線是指大規模生產前的試產，廖透露，目前公司在內地已有自家的IDM（Integrated Device Manufacture，垂直整合製造模式）工場生產晶圓，再選擇在港投放中試線，是希望結合香港微電子專家的技術，進行聯合研發，以確保公司在全球長期具競爭力及領先。

目標創250相關職位 招博士學歷者

麻省光子技術目標在港創造250個與微電子相關職位，包括外延片生產及設備設計、生產流程發展等，廖翊韜表明會在香港招聘人才，期望吸納本港的博士畢業生及從事半導體開發的專業人員，成為氮化鎵創科生態一部分。