話你知：電晶體載更多電流 保持較小體積

【明報專訊】「環繞式柵極」（gate-all-around，GAA）是新一代半導體製程技術，相對於目前主流的「鰭式場效應電晶體」（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）更先進。GAA技術將多個納米線或納米片水平堆疊在一起，FinFET則需要將多個垂直「鰭片」彼此並排放置以增加電流。因此，GAA可通過降低供電電壓級、增加驅動電流能力以提升性能，從而突破FinFET的限制。簡言之，GAA技術讓電晶體得以承載更多電流，同時保持體積上相對較小。

（中美角力）